主要特点:
该设备为射频电容耦合式等离子化学气相沉积镀膜设备。主要应用于科学研究及生产线
前期工艺试验。例如:在真空条件下,利用硅烷类气体、氮气和氧化亚氮,通过射频电
场而产生辉光放电形成离子体,以增强化学反应。从而降低了沉积温度,可以在室温至
350℃条件下沉积氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜。还可以沉积各种氧化物膜、氮化物
及类金刚石(≥350℃)膜等。
最适合于:
主要应用于科学研究及生产线前期工艺试验。
可以在室温至350℃条件下沉积氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜还可以沉积各种氧化物
膜、氮化物及类金刚石(≥350℃)膜等。
主要配置及技术参数:
1) 不锈钢沉积室:Φ120×H200mm
2) 平行板电极:Φ100mm×2
3) 加热温度:室温至400℃可控
4) 反应气体侧面进入、侧面抽气
5) 质量流量控制器三路(三路备用)
6) 本底真空: 10-1 Pa
7) 反应气体分压强:几Pa至几千Pa可调