主要特点: 该设备为射频电容耦合式等离子化学气相沉积镀膜设备。主要应用于科学研究及生产线 前期工艺试验。例如:在真空条件下,利用硅烷类气体、氮气和氧化亚氮,通过射频电 场而产生辉光放电形成离子体,以增强化学反应。从而降低了沉积温度,可以在室温至 350℃条件下沉积氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜。还可以沉积各种氧化物膜、氮化物 及类金刚石(≥350℃)膜等。 最适合于: 主要应用于科学研究及生产线前期工艺试验。 可以在室温至350℃条件下沉积氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜还可以沉积各种氧化物 膜、氮化物及类金刚石(≥350℃)膜等。 主要配置及技术参数: 1) 不锈钢沉积室:Φ120×H200mm 2) 平行板电极:Φ100mm×2 3) 加热温度:室温至400℃可控 4) 反应气体侧面进入、侧面抽气 5) 质量流量控制器三路(三路备用) 6) 本底真空: 10-1 Pa 7) 反应气体分压强:几Pa至几千Pa可调