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供应 场效应管 IPG20N06S4L-14,4N06L14

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    广东省 深圳市

  • 认证信息:
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  • 服务信息:
基本参数
  • 种类

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型

    N沟道

  • 导电方式

    增强型

  • 品牌

    英飞凌Infineon

  • 型号

    IPG20N06S4L-14,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,双N,60V ,20A,0.0137Ω

详细说明

产品型号:IPG20N06S4L-14

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±16

雪崩能量EAS(mJ):90

最大漏极电流Id(A):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0137 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.2

功率PD(W):50

极间电容Ciss(PF):2220

通道极性:双N

低频跨导gFS(s):

温度(℃): -55 ~175

描述:60V,20A,双N, OptiMOS?-T2 Power-Transistor


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