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威世Vishay SUD50N025-09BP-4E3 50N025-09BP 原装现货MOS场效应管

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  • 认证信息:
  • 经营证照:
  • 服务信息:
基本参数
  • 材料

    N-FET硅N沟道

  • 电流

    62A

  • 电压

    25V

  • 用途

    S/开关

  • 种类

    绝缘栅(MOSFET)

  • 最大耗散功率

    55W

  • 沟道类型

    N沟道

  • 导电方式

    增强型

  • 封装外形

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌

    威世Vishay

  • 型号

    SUD50N025-09BP-4E3

  • 加工定制

详细说明


产品型号:SUD50N025-09BP-4E3,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,62A,0.0086Ω
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

特点:
 TrenchFET Power MOSFET
 100% Rg Tested
 RoHS Compliant
应用:
 DC/DC Conversion, High-Side
– Desktop PC

封装:SOT-252

品牌:VISHAY/威士

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):62

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0086 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.4

功率PD(W):55

输入电容Ciss(PF):1020 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):46

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):39.2

导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ.

上升时间Tr(ns):15 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ.

下降时间Tf(ns):8 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:SUD50N025-09BP-4E3,N场,25V,62A,0.0086Ω N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications

企业网站://www.chinajincheng.com
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)


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