深圳市金城微零件有限公司
买卖通10 微信

深圳市金城微零件有限公司

首页>供应信息>深圳市金城微零件有限公司> 东芝Toshiba IGBT GT40F128 40F128
热搜词: 更多>>

供应 东芝Toshiba IGBT GT40F128 40F128

举报
收藏商品
价格
电话议价
免费咨询行业专家
起订量 >=50 个
供应总量 10000 个
发货期限 面议

信用卡优惠

分期付款

高额提现

办卡送288元红包

买家正在看

买卖通会员10

  • 商家等级:
  • 买卖通指数:
  • 所在地区:

    广东省 深圳市

  • 认证信息:
  • 经营证照:
  • 服务信息:
基本参数
  • 材料

    IGBT绝缘栅比极

  • 电流

    A

  • 电压

    V

  • 用途

    S/开关

  • 种类

    绝缘栅MOSFET

  • 最大耗散功率

    W

  • 沟道类型

    N沟道

  • 导电方式

    增强型

  • 封装外形

    P-DIT/塑料双列直插

  • 品牌

    东芝Toshiba

  • 型号

    GT40F128

  • 加工定制

详细说明

GT30J127,TO-220F,DIP/IGBT,,600V,,
GT40F128,TO-220F,DIP/IGBT,,,,
GT30G123,TO-220F,DIP/IGBT,,430V,,

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。


IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。


慧聪网厂家深圳市金城微零件有限公司为您提供 东芝Toshiba IGBT GT40F128 40F128的详细产品价格、产品图片等产品介绍信息,您可以直接联系厂家获取 东芝Toshiba IGBT GT40F128 40F128的具体资料,联系时请说明是在慧聪网看到的。

我的浏览记录

场效应管相关资源

完整显示
提示: 您在慧聪网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。
按字母分类 : A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0-9
  • 1对1专业服务

    每一份需求都会在24小时内收到行业资深买家经理的服务电话,1对1服务更专业。

  • 极速匹配

    每一份需求都会在24小时内得到行业多家优质供应商报价。

  • 信用筛选

    每一份需求的报价供应商工商信用资质都会经过专业人员检验,交易安全有保障。

免费咨询行业专家

  • *采购产品
  • *联系电话

成功加入采购单!

当前采购单共3种货品

成功加入采购单!

当前采购单共3种货品

提示消息

不能购买自己发布的产品!

提示消息

选中货品中含失效货品,无法完成下单,可能是:

1.货品库存不足

2.货品已过期,或被卖家删除

3.货品不支持在线交易