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InAs晶体基片

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  • 商家等级:
  • 买卖通指数:
  • 所在地区:

    安徽省 合肥市

  • 认证信息:
基本参数
  • 材质

    砷化铟

  • 产地

    安徽合肥

  • 类型

    高效

  • 特性

    透光性能好

  • 形状

    异形

  • 用途

    光学,半导体,红外光

  • 种类

    单晶,多晶

  • 品牌

    合肥科晶

  • 型号

    InAs

  • 加工定制

详细说明

产品名称:

砷化铟(InAs)晶体

产品简介:


技术参数:

晶体结构

立方  a =5.4505 Å

生长方法:

CZ

导电类型:

N型

掺杂类型:

不掺杂

载流子浓度:

2 ~ 5E16 / cm3 

迁移率:

>18500cm2/V.S 


常规尺寸:

常规晶向:<100>、<111>;

常规尺寸:10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注:

1000级超净室100级超净袋



Other InAs

InSb

InP 

GaAs

GaSb

基片包装盒系列

薄膜制备设备

RTP快速退火炉


 
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