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供应场效应管 CMB200N04-7 推荐替换IPB180N04S4-H0

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  • 认证信息:
  • 经营证照:
  • 服务信息:
基本参数
  • 最大耗散功率

    250W

  • 材料

    N-FET硅N沟道

  • 电流

    180A

  • 电压

    40V

  • 用途

    S/开关

  • 种类

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型

    N沟道

  • 导电方式

    增强型

  • 封装外形

    SMDSO/表面封装

  • 品牌

    infineon/英飞凌

  • 型号

    IPB180N04S4-H0

  • 加工定制

详细说明

供应场效应管 CMB200N04-7  推荐替换IPB180N04S4-H0


CMB200N04-7,SOT-263-7L,SMD/MOS,N场,40V,200A,0.0011Ω

CMB180N04-7,SOT-263-7L,SMD/MOS,N场,40V,180A,0.0016Ω

IPB180N04S4-H0,SOT-263-7L,infineon/英飞凌,SMD/MOS,N场,40V,180A,0.0011Ω  丝印MAKING: 4N04H0

IPB160N04S4-H1,SOT-263-7L,infineon/英飞凌,SMD/MOS,N场,40V,160A,0.0016Ω  丝印MAKING: 4N04H1




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