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太仓双极型晶体管25a智能照明

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  • 所在地区:

    河北省 邢台市

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基本参数
  • 产地

    邢台

  • 产品别名

    报价

  • 规格

    厂家

  • 类型

    其他

  • 售后服务

    一年

  • 用途

    其它

  • 品牌

    河北慧采

  • 型号

    2019款

  • 加工定制

详细说明




产品简介: 产品详细信息 IGBT 分立,On Semiconductor IGBT 分立,On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 产品技术参数 大连续集电极电流16 A 大集电极-发射极电压600 V 大栅极发射极电压±20V 大功率耗散56 W 封装类型DPAK 安装类型表面贴装 通道类型N 引脚数目3 开关速度1MHz 配置双集电极、单发射器、单门 长度6.73mm 宽度6.22mm 高度2.38mm 尺寸6.73 x 6.22 x 2.38mm 高工作温度+175 °C 栅极电容740pF

太仓双极型晶体管25a智能照明多种型号图片


型号:JX1858InternationalRectifierIRFIB41N15DPBFN沟道MOSFET晶体管41AVds=150V3针TO-220封装 型号:JX185473STP36NF06N沟道MOSFET晶体管30AVds=60V3针TO-220封装 型号:JX184422ONSemiconductorNGTB05N60R2DT4GN沟道IGBT晶体管16A双集电极、单发射器、单门Vce=600V1MHz3针DPAK封装

太仓双极型晶体管25a智能照明


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太仓双极型晶体管25a智能照明多种型号内容


型号:JX1858InternationalRectifierIRFIB41N15DPBFN沟道MOSFET晶体管41AVds=150V3针TO-220封装

产品详细信息
HEXFET? N 通道电源 MOSFET,高达 50A,

HEXFET? 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源

MOSFET 晶体管,

全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

产品技术参数
通道类型N
大连续漏极电流41 A
大漏源电压150 V
大漏源电阻值0.04 Ω
大栅源电压±30 V
封装类型TO-220
安装类型通孔
引脚数目3
通道模式增强
类别功率 MOSFET
大功率耗散48 W
配置
典型栅极电荷@Vgs72 nC@ 10 V
典型输入电容值@Vds2520 pF@ 25 V
每片芯片元件数目1
宽度4.69mm
正向跨导18s
典型关断延迟时间25 ns
正向二极管电压1.3V
低工作温度-55 °C
长度10.54mm
典型接通延迟时间16 ns
尺寸10.54 x 4.69 x 8.77mm
高度8.77mm
高工作温度+175 °C

栏目页面:www.runlian365.com/product/4026.html
分立半导体
来源网址:www.runlian365.com/chanpin/xx-1858.html
InternationalRectifierIRFIB41N15DPBFN沟道MOSFET晶体管41AVds=150V3针TO-220封装
型号:JX185473STP36NF06N沟道MOSFET晶体管30AVds=60V3针TO-220封装

产品详细信息
N 通道 STripFET?,

MOSFET 晶体管,
产品技术参数
通道类型N
大连续漏极电流30 A
大漏源电压60 V
大漏源电阻值0.04 Ω
大栅阈值电压4V
小栅阈值电压2V
大栅源电压±20 V
封装类型TO-220
安装类型通孔
引脚数目3
通道模式增强
类别功率 MOSFET
大功率耗散70000 mW
配置
尺寸10.4 x 4.6 x 9.15mm
典型关断延迟时间27 ns
典型输入电容值@Vds690 pF V @ 25
高度9.15mm
低工作温度-55 °C
宽度4.6mm
典型接通延迟时间10 ns
每片芯片元件数目1
长度10.4mm
高工作温度+175 °C
典型栅极电荷@Vgs23 nC V @ 10

栏目页面:www.runlian365.com/product/4026.html
分立半导体
来源网址:www.runlian365.com/chanpin/xx-185474.html
STP36NF06N沟道MOSFET晶体管30AVds=60V3针TO-220封装
型号:JX184422ONSemiconductorNGTB05N60R2DT4GN沟道IGBT晶体管16A双集电极、单发射器、单门Vce=600V1MHz3针DPAK封装

产品详细信息
IGBT 分立,On Semiconductor
IGBT 分立,On Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

产品技术参数
大连续集电极电流16 A
大集电极-发射极电压600 V
大栅极发射极电压±20V
大功率耗散56 W
封装类型DPAK
安装类型表面贴装
通道类型N
引脚数目3
开关速度1MHz
配置双集电极、单发射器、单门
长度6.73mm
宽度6.22mm
高度2.38mm
尺寸6.73 x 6.22 x 2.38mm
高工作温度+175 °C
栅极电容740pF

栏目页面:www.runlian365.com/product/4026.html
分立半导体
来源网址:www.runlian365.com/chanpin/xx-184422.html
ONSemiconductorNGTB05N60R2DT4GN沟道IGBT晶体管16A双集电极、单发射器、单门Vce=600V1MHz3针DPAK封装
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本公司产品因产品种类繁多,详细配置请致电咨询!
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